ФОТОДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ И «КОНФИГУРАЦИОННЫЕ» МОДЫ БИСТАБИЛЬНЫХ ЦЕНТРОВ В КРИСТАЛЛЕ CdF ₂: Ga
Ритус А.И., Анзин В.Б., Волков А.А.

Received: December 18, 2007

PACS: 61.72.J-, 61.80.Ba, 78.20.Ci, 78.30.-j

DJVU (163K)

PDF (826.7K)

В эксперименте обнаружены фотоиндуцированные увеличения действительной и мнимой частей диэлектрической постоянной ( и на частоте 15 см^-1). Этот фотодиэлектрический эффект хорошо описывается с помощью предсказанных конфигурационных мод на частотах u₁=354 см^-1 и u₂=123 см^-1, соответствующих рассчитанным нами ранее потенциальным кривым для глубокого и мелкого состояний примеси в кристаллах CdF₂: Ga. Определены диэлектрические вклады указанных мод и вычислены соответствующие концентрации ионов Ga в глубоком N₁ и в мелком N₂ состояниях примеси. Оказалось, что в CdF₂: Ga, в отличие от CdF₂: In, изменения и до и после освещения определяются в основном изменением вклада конфигурационной моды мелкого состояния, поскольку вклад моды глубокого состояния очень мал. Предсказано фотоиндуцированное уменьшение решеточного отражения CdF₂: Ga, связанное с изменением диэлектрического вклада примесной моды решетки.