СРАВНИТЕЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ПОГЛОЩЕНИЯ МИКРОВОЛНОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В СИНГЛЕТНЫХ ПАРАМАГНЕТИКАХ HoVO₄ И HoBa₂Cu₃O_x В СИЛЬНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЯХ
Казей З.А., Снегирев В.В., Гоаран М., Козеева Л.П., Каменева М.Ю.

Received: August 7, 2007

PACS: 71.70.Ch, 71.70.-d, 75.40.Mg, 76.30.Kg

DJVU (216.3K)

PDF (748.8K)

Проведены сравнительные исследования поглощения микроволнового излучения в импульсных магнитных полях до 40 Тл в области низких температур в тетрагональных синглетных парамагнетиках HoVO₄ (структура циркона) и HoBa₂Cu₃O_x (, структура слоистого перовскита), для которых характерна синглет-дублетная схема нижних уровней иона Ho³⁺ в кристаллическом поле. Для HoVO₄ в магнитном поле вдоль тетрагональной оси кристалла эксперимент обнаруживает ряд резонансных линий поглощения на длинах волн 871, 406, 305 мкм, соответствующих электронным переходам между низколежащими уровнями иона Ho³⁺ в кристаллическом поле. Положения и интенсивности наблюдаемых линий поглощения в HoVO₄ достаточно хорошо описываются в рамках формализма кристаллического поля с известными параметрами взаимодействия. Для HoBa₂Cu₃O_x на экспериментальных спектрах на длине волны 871 мкм наблюдаются широкие резонансные линии поглощения на фоне сильного нерезонансного поглощения. Обсуждается влияние низкосимметричных (орторомбической и моноклинной) компонент кристаллического поля, отклонения магнитного поля от оси симметрии и различных парных взаимодействий на спектры поглощения в кристаллах HoVO₄ и HoBa₂Cu₃O_x.