Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 130, No. 6, p. 1039 (December 2006)
(English translation - JETP, Vol. 103, No. 6, p. 897, December 2006 available online at www.springer.com )

ИНФРАКРАСНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ПОЛУПРОВОДНИКА С ПРОМЕЖУТОЧНОЙ ВАЛЕНТНОСТЬЮ YbB12
Горшунов Б.П., Прохоров А.С., Спектор И.Е., Волков А.А., Дрессель М., Ига Ф.

Received: April 21, 2006

PACS: 71.27.+a, 75.30.Mb

DJVU (109.8K) PDF (384.8K)

В диапазоне частот (6-104) см-1 (энергии кванта 0.75 мэВ-1.24 эВ) при температурах (5-300) К измерены спектры динамической проводимости и диэлектрической проницаемости соединения с промежуточной валентностью YbB12. На основе анализа наблюдаемых в спектрах особенностей, обусловленных откликом свободных носителей заряда, впервые определены температурные зависимости их микроскопических параметров - концентрации, эффективной массы, частоты и времени релаксации, подвижности, плазменной частоты. Показано, что с уменьшением температуры от 300 К до T*=70 К частота релаксации уменьшается, что обусловлено, в основном, фононным механизмом рассеяния носителей. При охлаждении ниже температуры когерентности, для YbB12 равной T*=70 К, обнаружена температурная зависимость частоты релаксации носителей заряда ферми-жидкостного типа, \gamma\sim\gamma_0+T^2, а также возрастание их эффективной массы и времени релаксации до величин соответственно m*(20 K)=34m0 (m0 - масса свободного электрона) и τ(20 K)=4• 10-13 с, что свидетельствует об установлении когерентного характера рассеяния носителей на локализованных магнитных моментах f-центров. При температуре T=5 К в спектре проводимости обнаружена линия поглощения на частоте 22 см-1 (2.7 мэВ), природа которой может быть связана с экситон-поляронным связанным состоянием. Поскольку такое состояние наблюдалось ранее в других полупроводниках с промежуточной валентностью, таких как SmB6, TmSe1-xTe и (Sm,Y)S, можно предположить, что оно является характерным для соединений данного класса.

 
Report problems