Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 129, No. 5, p. 926 (May 2006)
(English translation - JETP, Vol. 102, No. 5, p. 810, May 2006 available online at www.springer.com )

ИНЖЕКЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК В СТРУКТУРАХ МЕТАЛЛ-ОКСИД-НИТРИД-ОКСИД-КРЕМНИЙ
Насыров К.А., Шаймеев С.С., Гриценко В.А., Хан Ж.Х., Ким С.В., Ли Ж.В.

Received: June 1, 2005

PACS: 73.61.Ng, 73.50.Fg, 61.43.-j, 71.23.An

DJVU (156.7K) PDF (450.6K)

Изучена кинетика накопления электронов и дырок в структурах металл-оксид-нитрид-оксид-полупроводник. Экспериментальные данные сопоставлены с теоретической моделью, учитывающей туннельную инжекцию, захват электронов и дырок на ловушках в аморфном нитриде кремния SiNx и ионизацию ловушек. Cогласие эксперимента и расчета получено для ширины запрещенной зоны Eg=8.0 эВ аморфного SiO2, что соответствует величине барьера для дырок Φh=3.8 эВ на границе Si/SiO2. Оценены величины туннельной эффективной массы m^*_h\approx (0.4-0.5)m0 для дырок в SiO2 и в SiNx. В рамках модели фонон-связанной ловушки определены параметры электронных и дырочных ловушек в SiNx: оптическая энергия Wopt=2.6 эВ, термическая энергия WT=1.3 эВ.

 
Report problems