Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 126, No. 6, p. 1362 (December 2004)
(English translation - JETP, Vol. 99, No. 6, p. 1189, December 2004 available online at www.springer.com )

ОСОБЕННОСТИ ОТРАЖЕНИЯ ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКИМИ ДИЭЛЕКТРИКАМИ В МАГНИТНОМ ПОЛЕ
Кравец А.Ф., Джежеря Ю.И., Кравец В.Г., Климук О.

Received: February 2, 2004

PACS: 78.20.Ci, 78.20.Ls, 78.30.Am

DJVU (77.7K) PDF (537.2K)

Исследованы изменения в спектрах отражения R(λ) кристаллических диэлектриков Al2O3, LiF и MgO в инфракрасном диапазоне (λ=2.5-25 мкм), вызванные воздействием магнитного поля. Обнаружено, что спектры отражения характеризуются особенностями в окрестностях длин волн, соответствующих возбуждению оптических фононных мод в исследуемых кристаллах, а магнитное поле приводит к заметному изменению величины отражения на этих длинах волн. Для количественного описания влияния магнитного поля на отражение света были исследованы спектры магнитоотражения Δ R/R. На спектрах Δ R/R наблюдаются резкие пики в окрестностях длин волн, при которых исследуемые материалы характеризуются минимальными отражающими способностями. Значения Δ R/R для p-поляризованного инфракрасного излучения в магнитном поле примерно 12 кЭ составили для Al2O3 около 0.5 % на \lambda\approx 9.6 мкм, для LiF приблизительно 7 % на \lambda\approx 11.1 мкм и для MgO примерно 0.07 % на \lambda\approx 11.7 мкм.

 
Report problems