ЭКСИТОНЫ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КВАНТОВЫХ НИТЯХ CdS И CdSe С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИМИ БАРЬЕРАМИ
Днепровский В.С., Жуков Е.А., Шалыгина О.А., Лясковский В.Л., Муляров Е.А., Гаврилов С.А., Масумото И.

Received: December 28, 2001

PACS: 71.35.-y

DJVU (140.4K)

PDF (632.5K)

Особенности спектров люминесценции, полученных при различной поляризации и интенсивности излучения накачки, и кинетики люминесценции нанокристаллов CdS и CdSe, кристаллизованных в полых наноканалах Al₂O₃-матрицы, объяснены экситонными переходами в полупроводниковых квантовых нитях с диэлектрическими барьерами. Энергии экситонных переходов соответствуют рассчитанным с учетом как размерного квантования, так и эффекта «диэлектрического усиления» экситонов - существенного увеличения силы кулоновского притяжения между электроном и дыркой (энергия связи экситонов превышает 100 мэВ) из-за разницы диэлектрических проницаемостей полупроводника и диэлектрика. Показано, что энергия экситонного перехода не изменяется при изменении диаметра квантовых нитей в широких пределах, так как увеличение ширины одномерной запрещенной зоны квантовой нити при уменьшении ее диаметра компенсируется увеличением энергии связи экситонов.