Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 121, No. 4, p. 925 (April 2002)
(English translation - JETP, Vol. 94, No. 4, p. 794, April 2002 available online at www.springer.com )

ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ОТКЛИК ДВУХБАРЬЕРНЫХ НАНОСТРУКТУР
Елесин В.Ф.

Received: December 13, 2001

PACS: 79.60.Jv, 73.23.-b

DJVU (88.2K) PDF (248.4K)

В рамках последовательной квантовомеханической модели аналитически вычислен высокочастотный линейный отклик для резонансно-туннельного диода с несимметричными барьерами. Показано, что ток отклика исключительно чувствителен к асимметрии барьеров. Так, если «мощность» барьера коллектора α1 становится меньше «мощности» эмиттера α2 (например, из-за напряжения смещения), ток меняет знак при некоторой частоте, зависящей от параметров структуры. В обратной ситуации (\alpha_1\geq\alpha_2) ток сохраняет знак во всем интервале частот. Таким образом, появляется принципиальная возможность согласовать полученные ранее экспериментальные и теоретические результаты. В то же время квантовый режим высокочастотной генерации резонансно-туннельного диода, предсказанный ранее для α1 = α2, реализуется для любых α1 и α2. В этом режиме возможно достижение больших мощностей на частотах, значительно превышающих ширину резонансного уровня. В работе также показано, что механизм когерентного усиления в резонансно-туннельных диодах тесно связан с квантовой интерференцией резонансно-туннелирующих электронов и существенно отличается от обычно предполагаемого.

 
Report problems