СПИН-РЕШЕТОЧНАЯ РЕЛАКСАЦИЯ В ТВЕРДОМ ³He В СЛАБЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЯХ
Солодовников И.С.

Received: December 7, 2001

PACS: 67.80.Jd, 67.80.Mg, 76.60.Es

DJVU (138.7K)

PDF (386.7K)

В твердом ³He при температурах от 0.22 до 0.73 К в магнитном поле 44 Э проведены измерения времени T₁ спин-решеточной релаксации. Возрастание величин T₁ при температурах выше примерно 0.4 К связывается с включением вакансионного механизма подвижности атомов в кристалле. В рамках модели узкой энергетической зоны получены величины энергии активации вакансий. В точке минимума на кривой плавления в области доминирования обменных процессов движения атомов в кристалле проведены измерения T₁ в зависимости от магнитного поля в диапазоне полей от 2 до 71 Э. Данные, полученные для полей свыше 5 Э, согласуются с теорией Кована и Фардиса.