ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТРАНСПОРТ И ЗАМОРОЖЕННАЯ ФОТОПРОВОДИМОСТЬ В СЛОЯХ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК В СТРУКТУРАХ InAs/GaAs
Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Кытин В.Г., Голиков А.В., Демин А.В., Рогозин В.А., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Филатов Д.О.

Received: February 14, 2001

PACS: 71.30.+h, 72.20.-i, 73.61.-r, 78.60.-b

DJVU (263.5K)

PDF (776K)

Исследована проводимость слоев квантовых точек в структурах InAs/GaAs в диапазоне температур от 300 до 0.05 К в темноте и при различных режимах подсветки в магнитных полях до 6 Тл. В зависимости от исходной концентрации носителей тока проводимость исследованных структур варьировалась от металлической (наблюдался эффект Шубникова-де Гааза) до прыжковой. При низких температурах наблюдался переход температурной зависимости сопротивления от подчиняющейся закону Мотта к отвечающей закону Шкловского-Эфроса для прыжковой проводимости при наличии кулоновской щели в плотности состояний. Исследована проводимость образцов при освещении с длиной волны λ=791 нм и λ>1120 нм. Во всех образцах при температуре T<250 K наблюдалась положительная замороженная фотопроводимость. Структуры исследовались также с помощью фотолюминесценции и атомного силового микроскопа.