Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 120, No. 2, p. 480 (August 2001)
(English translation - JETP, Vol. 93, No. 2, p. 424, August 2001 available online at www.springer.com )

НИЗКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ПРЫЖКОВАЯ ПРОВОДИМОСТЬ ПО ВЕРХНЕЙ ЗОНЕ ХАББАРДА В МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУРАХ p-GaAs/AlGaAs
Агринская Н.В., Козуб В.И., Иванов Л.Ю., Устинов В.М., Черняев А.В., Шамшур Д.В.

Received: February 23, 2001

PACS: 73.20.Dx, 71.30.+h

DJVU (160.7K) PDF (1217K)

На многослойных структурах GaAs/AlGaAs p-типа, легированных бериллием, с квантовыми ямами шириной 15 нм впервые подробно исследована низкотемпературная двумерная прыжковая проводимость (с переменной длиной прыжка) осуществляемая по состояниям верхней зоны Хаббарда. Эта ситуация была реализована с помощью легирования слоя внутри ямы и близкого к яме барьерного слоя, когда верхняя зона Хаббарда (A+-центры) была в равновесном состоянии заполнена дырками. Во всем температурном интервале (4-0.4 K) проводимость носила характер моттовской прыжковой проводимости. Проведен анализ положительной и отрицательной ветвей магнитосопротивления, а также неомической прыжковой проводимости при низких температурах. Оценены плотность состояний и радиус локализации, амплитуда рассеяния и число рассеивателей в верхней зоне Хаббарда. Установлено, что картина интерференционных явлений в прыжковой проводимости по A+-зоне качественно аналогична соответствующей картине для обычной примесной зоны, однако подбарьерное рассеяние является относительно слабым.

 
Report problems