Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 120, No. 1, p. 119 (July 2001)
(English translation - JETP, Vol. 93, No. 1, p. 103, July 2001 available online at www.springer.com )

ТЕОРИЯ РЕЗОНАНСНЫХ СВОЙСТВ ЭЛЕКТРОНОВ, ЛОКАЛИЗОВАННЫХ НА ПОВЕРХНОСТИ ЖИДКОГО ГЕЛИЯ
Григорьев П.Д., Дюгаев А.М.

Received: February 1, 2001

PACS: 67.55.-s

DJVU (121K) PDF (433.1K)

В рамках модели независимых бозонов решена задача о форме линии оптического перехода электрона между связанными состояниями на поверхности жидкого гелия. Такие состояния реализуются, например, в потенциале положительно заряженной примеси, находящейся на подложке, или в поле иона He+, расположенного под поверхностью. Указано на важность процессов релаксации деформации поверхности жидкости (лунки) под электроном. Адиабатическое приближение, при котором лунка не изменяется за время электронного перехода, справедливо не всегда. При низких температурах возможно появление двух максимумов на линии поглощения. Показано, что далекие хвосты линии оптического поглощения имеют универсальную (правило Урбаха) экспоненциальную зависимость от энергии электронного перехода.

 
Report problems