ТЕОРИЯ ТУННЕЛИРОВАНИЯ В {2D}-СТРУКТУРАХ <<НОРМАЛЬНЫЙ МЕТАЛЛ-СВЕРХПРОВОДНИК {d}-ТИПА>>
Девятов И.А., Гончаров Д.В., Куприянов М.Ю.

Received: July 27, 2000

PACS: 74.50.+r, 74.80.Fp

DJVU (158.3K)

PDF (415.3K)

Проведен последовательный теоретический анализ туннелирования в структурах «нормальный металл-сверхпроводник d-типа», содержащих рассеивающие центры в прослойке между нормальным металлом и сверхпроводником. В результате было показано, что наличие рассеивающего центра внутри диэлектрической прослойки приводит к частичному подавлению предсказанных ранее аномально больших значений проводимости в области малых напряжений (zero bias anomaly (ZBA)). При этом учет «интерференционного» члена в операторе тока (интерференция туннелирования через рассеивающий центр с прямым потенциальным туннелированием) приводит к подавлению ZBA. Предсказанный эффект практически не зависит ни от положения рассеивающего центра в прослойке, ни от формы резонансной кривой рассеяния (лоренцевской в случае резонансного туннелирования через рассеивающий центр).