ОСОБЕННОСТИ ДИССИПАТИВНОГО ЭЛЕКТРОННОГО ТРАНСПОРТА ВБЛИЗИ NS-ГРАНИЦЫ В СИСТЕМЕ Al(N)-In(S)
Цзян Ю.Н., Гриценко С.Н., Шевченко О.Г.

Received: June 1, 2000

PACS: 72.15.-v, 74.80.Fp

Вблизи NS-границы гибридной системы, состоящей из алюминия (N) и индия (S), изучено температурное поведение когерентного электронного транспорта, возникающего в присутствии андреевских отражений. Впервые на одном и том же образце на зондах, установленных в нормальной области на фиксированных расстояниях L ₁ и L ₂ от NS-границы, наблюдалось качественное изменение температурного поведения при изменении величины упругой длины свободного пробега электронов, l_el, в результате упругой деформации образца. При понижении температуры измеренное эффективное сопротивление уменьшалось при и увеличивалось в некоторой области температур при . Показано, что подобные явления отвечают квантово-интерференционным особенностям рассеяния когерентных электронных и андреевских дырочных возбуждений на упругих центрах.