ИССЛЕДОВАНИЕ МОДЕЛЬНОЙ СИСТЕМЫ Si-SiO ₂ МЕТОДАМИ УЛЬТРАМЯГКОЙ РЕНТГЕНОВСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
Кожахметов С.К.

Received: May 12, 1999

PACS: 78.20-e; 78.70Ck, 78.70Dm; 78.90+t

Поверхностные пленки SiO₂ различной толщины (от 20 до 630 ), выращенные на кристаллической кремниевой подложке, исследованы с помощью методик отражения и рассеяния рентгеновского излучения ультрамягкого диапазона. На основе совместного анализа Si2,3-спектров отражения и индикатрис рассеяния показано, что значение критического угла полного внешнего отражения θ_c для SiO₂ при λ=57 лежит в пределах 4.5-5. Получена угловая зависимость толщины поверхностного слоя, формирующего зеркальное отражение. Показано, что большую роль в формировании пика аномального рассеяния (пика Ионеды) играет поверхностный слой, толщина которого соответствует глубине проникновения излучения в вещество при угле скольжения, близком к критическому θ_c.